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3D封裝技術|合封氮化鎵電源芯片RM6604ND

來源:亞成微電子 發布時間:2021-11-29 閱讀次數:

支持36W快充|3D封裝技術高集成合封氮化鎵電源芯片RM6604ND

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芯片概述

RM66040ND內部采用我司自主研發封裝技術,芯片內部集成CCM/QR反激式開關電源控制器、650V GaN FET、氮化鎵驅動器以及驅動保護等,支持最大36W快充,具有小體積、高效率、高性能、低功耗等特點,滿足快充電源小型化設計要求。此外,芯片采用DFN5*6封裝,成本更為優異。

RM6604ND 集成多種工作模式,在重載情況下,系統工作在傳統的固頻 130Khz 的 PWM 模式下,在低壓輸入時會進入 CCM 模式;在重載情況下,系統工作在 QR 模式,以降低開關損耗,同時結合 PFM工作模式提高系統效率;RM6604ND 采用專有的驅動技術,搭配高壓 GaNFET 功率器件改善 EMI 設計;在輕載或空載情況下,系統工作在 Burst Mode 模式,有效去除音頻噪音,同時在該模式下,RM6604ND 本身損耗極低,因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下,都集成了特有抖頻工作模式,以改善 EMI。

RM6604ND 同時集成了多種保護模式和補償電路,包括 VCC OVP,內置 OTP,外置 OVP,欠壓鎖定(uvlo),逐周期過流保護 OCP,過載保護(OLP),CS 短路保護,輸出肖特基短路保護等,并內置斜坡補償。

 

 


功能特點
 

■ 支持 CCM/QR 混合模式;

■ 內置 700V 高壓啟動;

■ 內置 650V GaNFET; ? 支持最大 130KHz 工作頻率;

■ 內置特有抖頻技術改善 EMI; ? Burst Mode 去噪音;
■ 低啟動電流(2uA),低工作電流;
■ 集成斜坡補償;
■ 集成輸入 Brown out/in 功能;

■ 外置 OVP 保護;

■ 具有輸出肖特基短路保護/CS 短路保護;

■ 內置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護。


原理圖

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產品系列

 

型號 反饋形式 輸出功率 封裝 功率管 應用領域
RM6604ND SSR+QR 36W DFN5*6 內置GaN

PD/QC快速充電器

適配器

TV電源

 

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