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覆蓋20~120W快充｜亞成微推出氮化鎵合封電源芯片RM6820NQ/RM6604ND系列
來源：亞成微電子 發布時間：2022-01-21 閱讀次數：
近年來，氮化鎵快充產品因充電快、發熱小以及體積小備受消費者喜愛。隨著消費需求的日益增長，氮化鎵快充的市場規模也在持續擴大，眾多快充廠商因此受益，同時越來越多的充電器都開始應用氮化鎵功率器件，這無疑加快了行業對氮化鎵高功率密度快充產品的創新。隨著對氮化鎵特性的不斷了解，將氮化鎵(GaN)與開關電源控制器合封的芯片也開始出現。
作為國內高功率密度快充解決方案的創新者，亞成微電子在近日推出了氮化鎵（GaN）合封開關電源芯RM6820NQ/RM6604ND系列，該系列芯片內部集成開關電源控制器、650V GaN FET、氮化鎵驅動器以及驅動保護等，并具有小體積、高效率、高導熱率、高通流等特點。通過功率集成，不僅簡化了充電器的設計，還大幅減少了充電器初級元件數量，降低了對PCB板面積的要求，系統成本方面也更具有優勢，并實現了高可靠、高效率、高集成的小型化快充電源設計要求。
【氮化鎵（GaN）合封開關電源芯片RM6820NQ】
功能特點：
■ 專有 ZVS 技術；
■ 內置 650V GaNFET；
■ 支持最大 130KHz 工作頻率；
■ Burst Mode 去噪音；
■ 集成斜坡補償及 ZVS 高低壓補償；
■ 外置 OVP 保護；
■ 內置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護。
原理圖：
【氮化鎵（GaN）合封開關電源芯片RM6604ND】
功能特點：
■ 支持 CCM/QR 混合模式；
■ 內置 700V 高壓啟動；
■ 內置 650V GaNFET；
■ 最大輸出功率36W；
■ 支持最大 130KHz 工作頻率；
■ 內置特有抖頻技術改善 EMI；
■ Burst Mode 去噪音；
■ 低啟動電流（2uA），低工作電流；
■ 集成斜坡補償；
■ 集成輸入 Brown out/in 功能；
■ 外置 OVP 保護；
■ 具有輸出肖特基短路保護/CS 短路保護；
■ 內置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護。
原理圖：
產品系列：
