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覆蓋20~120W快充|亞成微推出氮化鎵合封電源芯片RM6820NQ/RM6604ND系列

來源:亞成微電子 發布時間:2022-01-21 閱讀次數:

        近年來,氮化鎵快充產品因充電快、發熱小以及體積小備受消費者喜愛。隨著消費需求的日益增長,氮化鎵快充的市場規模也在持續擴大,眾多快充廠商因此受益,同時越來越多的充電器都開始應用氮化鎵功率器件,這無疑加快了行業對氮化鎵高功率密度快充產品的創新。隨著對氮化鎵特性的不斷了解,將氮化鎵(GaN)與開關電源控制器合封的芯片也開始出現。

 

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         作為國內高功率密度快充解決方案的創新者,亞成微電子在近日推出了氮化鎵(GaN)合封開關電源芯RM6820NQ/RM6604ND系列,該系列芯片內部集成開關電源控制器、650V GaN FET、氮化鎵驅動器以及驅動保護等,并具有小體積、高效率、高導熱率、高通流等特點。通過功率集成,不僅簡化了充電器的設計,還大幅減少了充電器初級元件數量,降低了對PCB板面積的要求,系統成本方面也更具有優勢,并實現了高可靠、高效率、高集成的小型化快充電源設計要求。
 



【氮化鎵(GaN)合封開關電源芯片RM6820NQ】

 

 

功能特點:
 

■ 專有 ZVS 技術;

■ 內置 650V GaNFET; 

  支持最大 130KHz 工作頻率;

  Burst Mode 去噪音;

  集成斜坡補償及 ZVS 高低壓補償;

  外置 OVP 保護;

  內置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護。
 


原理圖:

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【氮化鎵(GaN)合封開關電源芯片RM6604ND】

 

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功能特點:
 

■ 支持 CCM/QR 混合模式;

■ 內置 700V 高壓啟動;

■ 內置 650V GaNFET; 

■ 最大輸出功率36W;

  支持最大 130KHz 工作頻率;

  內置特有抖頻技術改善 EMI; 

  Burst Mode 去噪音;

  低啟動電流(2uA),低工作電流; 

  集成斜坡補償;

  集成輸入 Brown out/in 功能;

  外置 OVP 保護;

  具有輸出肖特基短路保護/CS 短路保護;

  內置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護。


原理圖:

 

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產品系列:

 

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